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LED行业2013年下半年分析报告-爱游戏客户端

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本文摘要:长禁带半导体材料是顶尖国防和节约资源产业链的关键:相比于Si和GaAs原材料,以GaN、SiC为意味着的长禁带半导体材料凭着透过场强低、饱和电子器件电子密度低、导热系数大、相对介电常数小、防辐射工作能力强悍等特性,必须大大提高电子器件器件的髙压、高频率、大功率工作中特性,在国防、新能源技术、纯电动车等领域运用于市场前景巨大。

长禁带半导体材料是顶尖国防和节约资源产业链的关键:相比于Si和GaAs原材料,以GaN、SiC为意味着的长禁带半导体材料凭着透过场强低、饱和电子器件电子密度低、导热系数大、相对介电常数小、防辐射工作能力强悍等特性,必须大大提高电子器件器件的髙压、高频率、大功率工作中特性,在国防、新能源技术、纯电动车等领域运用于市场前景巨大。  LED以外,长禁带半导体材料功率器件刚开始出类拔萃:现阶段GaN和SiC仅次的运用领域为LED领域,组成了100亿美金的销售市场;此外,近些年在微波加热功率器件和电力电子技术器件领域刚开始南北方商业化,大家强调将来2年GaN和SiC功率器件销售市场将刚开始比较慢发展趋势,潜在性市场需求高达300亿美金,将来将在国防机器设备、光伏逆变器、纯电动车等领域刚开始逐渐取代Si和GaAs功率器件。

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  GaN是微波加热器件的采用,在国防领域将大展拳脚:GaN限于于高频率功率大的运用于,是微波加热器件尤其理想化的原材料,其功率是目前GaAs器件的10倍,将沦落下一代雷达探测技术性的规范,美国军队干扰机和宙斯盾航母的相控阵雷达刚开始改裝GaN商品,军工用销售市场将在未来两年拓张GaN微波加热器件的比较慢发展趋势。  电力电子技术领域长禁带半导体材料必须降低50%的电力工程耗损,SiC限于于1200V之上髙压运用于,GaN限于于中髙压高频率运用于:SiC单晶体制得加工工艺较为成熟,同质性外延更非常容易制得横着构造的器件提高抗压性能,商业化的SiC器件抗压在600~1200V,限于于风能发电、铁路机车、电力网等功率大的运用于。

  GaN异质性外延缺少相对密度较小,现阶段不可以制得竖向构造的器件,抗压性能提升 更加艰辛,可是GaN-on-Si成本费较低,加上LED领域不会有很多MOCVD外延机器设备能够同用,将来将来可能比较慢控制成本,广泛运用于UPS、光伏逆变器、纯电动车等领域。  民用型领域商业化加速,中国公司刚开始紧靠:2013PCIM和ICSCRM很多家公司开售6寸SiC圆晶、SiC功率器件和600VGaN功率器件商品,二零一四年刚开始都将踏入批量生产环节,说明出带SiC和GaN功率器件在民用型销售市场的商业化过程刚开始加速,而中国公司也刚开始紧靠这一领域;SiC的难点取决于单晶体制得,中国主要从事SiC圆晶生产制造的关键还包含山东天岳和天富热电,山东天岳已刚开始对外开放市场销售2~4英寸SiC圆晶,6寸圆晶将于二零一五年刚开始批量生产。  GaN的难点取决于外延生长发育,LED水龙头三安光电早就顺利完成GaNHEMT功率器件的大批量生产,转到试品产品测试。

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GaN输出功率元器件的外延工艺同LED类似,而且对外延质量回绝高些,大家强调LED芯片骨干企业如三安光电、德豪润达等凭着在LED外延层面的技术性领跑,将来在GaN功率器件领域也将占到得一席之地,合上新的盈利持续增长室内空间。


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